產(chǎn)品分類
HVPE 法單晶生長設(shè)備 —立式
所屬分類：
化合物晶體設(shè)備
HVPE法單晶生長設(shè)備
概要：
適用領(lǐng)域：單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延）、GaAs（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial), GaAs (epitaxial) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch
關(guān)鍵詞：
HVPE外延爐——立式
HVPE 法單晶生長設(shè)備 —立式
產(chǎn)品應(yīng)用/Product Applications：
適用領(lǐng)域：單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth
適用材料: GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延）、GaAs（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial), GaAs (epitaxial)
晶圓尺寸: 12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch
技術(shù)指標(biāo) /Technical Parameters：
加熱溫度：1100℃、1600℃（高溫HVPE) Heating Temperature: 1100℃, 1600°C (high-temperature HVPE)
加熱方式：電阻 Heating Method:Resistance
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SiC籽晶粘接設(shè)備
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