HVPE長晶爐——臥式

本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；

HVPE長晶爐——立式

本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；

SiC籽晶粘接設(shè)備

適用領(lǐng)域： ?Bonding Relevant Industries: Bonding 適用材料: ?SiC Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide) 晶圓尺寸: ?12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch

PVT法長晶爐——電阻爐

適用領(lǐng)域：單晶生長 Relevant Industries: ?Single Crystal Growth 適用材料: ?Si、AIN Suitable for Processing: ?SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸,8英寸多坩堝 Wafer Size: 12/8/6/4 inch, 8 inch Multi-crucibles Provide6/8 inches process

PVT法長晶爐——感應(yīng)爐

適用領(lǐng)域：單晶生長 Relevant Industries: ?Single Crystal Growth 適用材料: ?Si、AIN Suitable for Processing: ?SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸,8英寸多坩堝 Wafer Size: 12/8/6/4 inch, 8 inch Multi-crucibles

提拉法單晶生長設(shè)備

適用領(lǐng)域：單晶生長、EFG、LPE Application Fields: Single Crystal Growth, Edge-defined Film-fed Growth (EFG), Liquid Phase Epitaxy (LPE) 適用材料: ?SiC、Ga2O3、YAG、LYSO、LT/LN、GGG、YAP等晶體 Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), Ga2O3 (Gallium Oxide), YAG (Yttrium Aluminum Garnet), LYSO (Lutetium Yttrium Orthosilicate), LT/LN (Lithium Tantalate / Lithium Niobate), GGG (Gadolinium Gallium Garnet), YAP (Yttrium Aluminum Perovskite) and other crystals 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch

LPCVD 臥式爐管設(shè)備

LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一，主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生長。

MPCVD設(shè)備

適用領(lǐng)域： ?單晶生長、多晶熱沉 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Polycrystalline Heat Sink Fabrication 適用材料: ?Diamond Suitable for Processing: Diamond 晶圓尺寸: ?8/6/4/3/2英寸 Wafer Size: 8/6/4/3/2 inch

SiC高溫氧化設(shè)備

專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐，設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)，加熱腔與工藝腔獨立密閉設(shè)計，提供工藝腔的潔凈度。

氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長設(shè)備 臥式

? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長

氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長設(shè)備 立式

? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長

PVT單晶生長設(shè)備

? 本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長